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嘉立创转:在半导体公布完整的双重组合数据速率(DDR)监管机构终止

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嘉立创转:在半导体公布完整的双重组合数据速率(DDR)监管机构终止

在半导体已进一步加强其低漏失线性稳压器(LDO)组合通过引入了一系列新的高性能设备支持双倍数据速率(DDR)的记忆。NCP51400,NCP51200 NCP51510,NCP51199功能内置功率场效应管和针对各种应用程序的计算、数据网络、工业和手持消费市场为特定的应用,SDRAM DIMM记忆、服务器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和电脑/笔记本电脑主板。原子能委员会−Q100合格的版本也可用于汽车应用程序包括嵌入式GPS测绘系统,信息娱乐,wi - fi和蓝牙通信。

在半导体,NCP51200 NCP51400NCP51510 NCP51199

DDR2,这些高性能ldo支持DDR1 DDR3,LPDDR3,DDR4 LPDDR4标准和终止电压(国立)500毫伏(mV)。每个能够积极采购和下沉的一个完整的2.0安培(a)使用时DDR4LPDDR4。此外,NCP51145使用时可以支持1.2 DDR4LPDDR4。全国大会党/ NCV51199源和汇2.01.5分别DDR2DDR3的电流,NCP51200NCP51510指定3遥感峰值电流操作和支持。这些高度集成的DDR终止ldo也受益于软启动,芯片上的热停堆和(对一些设备)欠压锁定机制。每个设备有高速差分放大器提供超快的响应电压和负载电流瞬变。所有这些设备也兼容DDR1 DDR2便于升级更新的DDR内存。温度范围为-40°C到指定+ 125°C,+ 150°C的扩展温度范围为汽车提供版本。

在半导体- NCP51200

包装和定价

扩大家庭内15 NCP51xxx LDO的解决方案有三个不同的包产品包括有SOIC-EP,产品有2×2毫米DFN10-pin DFN3×3毫米。价格从0.07美元到0.07美元每单位3000年单位卷。

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