30 v MOSFET二极管将允许快速和安全的散装电容放电FPGA Rails

深圳嘉立创转：二极管中介绍了DMN3027LFG 30 V n沟道MOSFET。这个设备被设计为一个开关迅速和安全地排放大型散装电容用在FPGA rails。最新的fpga中发现电信设备、服务器和数据中心有多个权力rails需要正确排序上下安全力量这些系统。设计师的高可靠性的直流-直流电源可以实现快速、轻松地与这个新MOSFET二极管。

二极管- DMN3027LFG

DMN3027LFG有RDS(26)mΩ4.5 V,这是足够低排放15 mF电容器< 10 ms但不是如此之低,电流峰值大幅上升可能导致EMI问题或产生瞬态热应力,潜在的破坏性MOSFET或电容器银行。在典型的FPGA低压轨道条件下1 V,这个电流是由MOSFET自限性的通道电阻(SOA)中指定的安全操作区域。这给出了SOA + 60°C环境温度以最小的运动支持的典型应用条件,允许20一个峰值电流安全处理< 10 ms。

二极管- DMN3027LFG

DMN3027LFG提供一个PowerDI®3333包,从结热阻较低的接触垫的< 10°C / W使耗散的3 W。

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