IDT提高射频开关的性能与新领域开关KZ恒定阻抗技术--嘉立创转载

集成设备技术(IDT)介绍了行业首个单刀,双掷(领域)射频开关以其专利申请K | | Z恒定阻抗技术。IDT F2923是低插入损耗领域吸收射频开关设计大量的射频应用,包括基站(2 g、3 g、4 g,5 g),无线回程,有线电视、便携式手持设备。

IDT - F2923

K Z | |特性控制所有端口阻抗切换射频端口时,保留了回波损耗。标准开关没有Z K | |创建一个大的电压驻波比(电压驻波比)瞬态切换时射频路径,因为阻抗的开关在切换事件并没有很好的控制。电压驻波比瞬态会降低系统性能,降低可靠性。K的好处Z | |在不同的动态或“热开关”场景包括:

最小化切换Tx / Rx合成器拉和TDD系统的恢复时间

避免损失和误差导致瞬态两个射频等元素之间切换时,司机和恢复。

瞬时振幅和相位误差最小化unswitched路径(s)切换时分销网络的路径如三分贝耦合器或4分支分配器。

除了Z K | |技术、设备交付:

只在2 GHz 0.48 dB的插入损耗

IIP3大于66 dBm @ 2 GHz

行业领先的74 dB 2 GHz的隔离

覆盖广泛的频率范围从300千赫至8000兆赫,踊跃参与的创新K Z | |技术保证了设备提供几乎不间断地阻抗(电压驻波比< 1.4:1比例为9:1标准开关),当从一个射频端口切换到另一个虽然不影响隔离,线性,或者插入损耗。F2923使用了一个积极的电源电压3.3 V和支持标准的1.8 V和3.3 V控制逻辑水平。

评估董事会F2923领域

评估董事会F2923领域与阻抗恒定,K Z | |。

可用性

F2923开关采样,并且有一个4×4毫米20-TQFN包。

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