嘉立创转：三星开始大规模生产行业首个128 g DDR4模块为企业服务器

三星开始大规模生产行业首个128 g DDR4模块为企业服务器

新闻»记忆·计算机和外围设备

12-10-2015

三星开始大规模生产行业首个128 g DDR4模块为企业服务器

三星

三星TSV DRAM解决信号新技术正在走向主流大容量内存的应用程序

三星电子宣布大规模生产行业首个“通过硅通过”(TSV)双数据为4(DDR4)内存128 - g(GB)模块,为企业服务器和数据中心。

三星- 128 GB TSV DDR4 RDIMM

三星推出的堪称世界第一后3 d TSV DDR4 DRAM(64 GB)在2014年,该公司的新TSV注册双重内联内存模块(RDIMM)标志着另一个突破,打开车门企业级的超高容量的内存。三星新TSV DRAM模块拥有最大的能力和能源效率最高的DRAM模块今天,而高速操作和展示良好的可靠性。

128 GB的TSV DDR4 RDIMM由144 DDR4芯片,安排到36个4 GB DRAM包,包含四个20-nanometer(nm)的8-gigabit(GB)芯片组装和尖端TSV包装技术。

三星内存3 ds TSV DRAM包

三星内存3 ds TSV DRAM包。

传统互连芯片包死栈使用钢丝粘合,而在TSV包,芯片模具地面到几十微米,穿与数以百计的细孔和垂直连接通过电极穿过孔,允许显著提高信号传输。除了利用行业的最高容量和TSV先进电路,三星的128 GB TSV DDR4模块有一个特殊的设计到每个4 GB包的主芯片嵌入数据缓冲区函数优化模块的性能和功耗。

三星——TSV

因此,三星先进128 GB TSV DDR4 RDIMM为下一代服务器提供了一个低功耗的解决方案与速度高达每秒2400比特(Mbps),实现近两倍的性能,同时降低用电50%,相比使用之前的最高容量DRAM模块- 64 GB LRDIMMs四芯片包栈的力量和速度受到限制的使用造成的传统线结合。

三星是应对不断增长的需求为超高容量DRAM加速生产的TSV技术市场并迅速增加20 nm 8 Gb DRAM芯片以提高生产效率。在巩固其高端内存解决方案的技术领导和扩大市场,该公司计划提供新的高性能的完整阵容TSV DRAM模块在未来几周包括128 GB的负载降低dimm(LRDIMMs)。

三星开始大规模生产行业首个128 g DDR4模块为企业服务器

此外,三星将继续保持其技术领导通过引入TSV DRAM和更高的性能。这些将包括模块的数据传输速度高达2667 Mbps和3200 Mbps,有助于满足强化企业服务器的需求,同时扩大TSV应用到高带宽内存(HBM)和消费产品。

更多问题请访问嘉立创网站www.sz-jlc.tv